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中国科学院半导体研究所

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简介 : 中国科学院半导体研究所于1960年成立,是中国国务院直属事业单位,是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。

共19102条,第1-10条
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Excitation fluence dependence of spin-wave dynamics and intrinsic gilbert damping in epitaxial co2feal film 期刊论文??iSwitch采集
Japanese journal of applied physics, 2019, 卷号: 58, 期号: 4
作者:??Li,shufa;??Cheng,chuyuan;??Meng,kangkang;??Chen,chunlei
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Large magnetoresistance effects in fe3o4 期刊论文??iSwitch采集
Journal of physics: condensed matter, 2019, 卷号: 31, 期号: 22
作者:??Liu,x h;??Chang,c f;??Tjeng,l h;??Komarek,a c;??Wirth,s
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Enhanced performance of AlN SAW devices with wave propagation along the 〈11?20〉 direction on c-plane sapphire substrate 期刊论文??iSwitch采集
Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 卷号: 52, 期号: 21
作者:??Ai,Yujie;??Yang,Shuai;??Cheng,Zhe;??Zhang,Lian;??Jia,Lifang;??Dong,Boyu;??Wang,Junxi;??Zhang,Yun
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Three dimensional comoo4 nanosheets on nickel foam for high performance supercapacitors 期刊论文??iSwitch采集
Iop conference series: materials science and engineering, 2019, 卷号: 493, 期号: 1
作者:??Ma,jing;??Liu,wen;??Ma,zhe;??Song,peishuai;??Zhao,yongqiang;??Yang,fuhua;??Wang,xiaodong
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Metamaterials absorber based on doped semiconductor for thz and fir frequency ranges 期刊论文??iSwitch采集
Journal of optics, 2019, 卷号: 21, 期号: 3
作者:??Chen,miao;??Yan,wei;??Tong,xin;??Zeng,liuwen;??Li,zhaofeng;??Yang,fuhua
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Defects coupling impacts on mono-layer wse2 tunneling field-effect transistors 期刊论文??iSwitch采集
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:??Wu,jixuan;??Ma,xiaolei;??Chen,jiezhi;??Jiang,xiangwei
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适用于环境扫描电镜的近场荧光成像系统研究 学位论文??OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2018
作者:??龚萍
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Direct synthesis of vertical graphene nanowalls on glass substrate for thermal management 期刊论文??iSwitch采集
Materials research express, 2018, 卷号: 5, 期号: 6
作者:??Zhang,nan;??Li,jiurong;??Liu,zhiduo;??Yang,siwei;??Xu,anli;??Chen,da;??Guo,qinglei;??Wang,gang
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An efficient mechanism for enhancing the thermoelectricity of nanoribbons by blocking phonon transport in 2d materials 期刊论文??iSwitch采集
Journal of physics: condensed matter, 2018, 卷号: 30, 期号: 27
作者:??Liu,yue-yang;??Zeng,yu-jia;??Jia,pin-zhen;??Cao,xuan-hao;??Jiang,xiangwei;??Chen,ke-qiu
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文??人工提交
博士后, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
刘炜
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